IGBT
富士電機のIGBT モジュールはモータの可変速駆動裝置や無停電電源裝置等の電力変換器のスイッチング素子として開発されてきました。IGBT はパワーMOSFET の高速スイッチング性能とバイポーラトランジスタの高電圧?大電流処理能力とを合わせ持った半導體素子です。
製品一覧
IGBTモジュール Xシリーズの特長
第7 世代「X シリーズ」は、本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みをさらに薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従來製品（當社第6 世代「Vシリーズ」）に比べてインバータ動作時の電力損失を低減しました。搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢獻します。
1. 低損失
本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みを薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従來製品（當社第6世代Vシリーズ）に比べてインバータ動作時の電力損失を低減
インバータロスを10%、チップ溫度を11℃低減 （第6世代Vシリーズ75A, fc=8kHz 比較）
2. 小型化
新たに開発した絶縁基板を適用し、モジュールの放熱性を向上。電力損失低減と併せて発熱を抑制することで、従來製品に比べて約36％の小型化を達成。
3. 高溫動作
高信頼性?高耐熱パッケージおよびチップの最適化により175℃連続動作を実現。
- 従來製品より更に35%の出力アップも可能
- ΔTvj パワーサイクル耐量向上（従來比2倍）
IGBTモジュール Xシリーズの製品系列（開発中を含む） 650V/1200V/1700V
PIM: Power Integrated Modules, 複數回路を一つのモジュール內に収めた製品
RC-IGBT: Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor（逆導通 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
EconoPIM?, PrimePACK?はInfineon Technologies社の登録商標です
