SiCデバイス
SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高溫動作を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー半導體は、大幅な省エネと搭載製品の小型?軽量化を実現することができます。
製品一覧
特長
SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュール Xシリーズ/Vシリーズ
- 高性能チップ適用
ー低損失のXシリーズ/VシリーズIGBT
ー低損失のSiC-SBD - 従來のSi-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
All-SiCモジュール
- 最新世代トレンチゲートMOSFET適用による大幅な低損失化を実現
- 従來のSi-IGBTモジュールと互換パッケージ適用
- パッケージの低インダクタンス化
SiCショットキーバリアダイオード
SiC-SBD 2Gシリーズ
- 高速スイッチング特性
- 低VF特性：VPを従來比(対1G) 約15％低減(650V品)
- 低IR特性
- 高順サージ耐量：IFSMを従來比(対1G) 約60％向上
SiC-SBD 1Gシリーズ
- 高速スイッチング特性
- 低VF特性
- 低IR特性
- 高順サージ耐量
